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HY62V8400LG-10

更新时间: 2024-02-09 06:54:18
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 169K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32

HY62V8400LG-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP32,.56针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.4978 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.2 mm最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.2014 mmBase Number Matches:1

HY62V8400LG-10 数据手册

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