是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, TSOP32,.46 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 85 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2-R | 封装等效代码: | TSOP32,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62V8400LR2-20 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62V8400LT2 | HYNIX |
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512K X 8-bit CMOS SRAM | |
HY62V8400LT2-10 | HYNIX |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY62V8400LT2-12 | HYNIX |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY62V8400LT2-15 | HYNIX |
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Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY62V8400LT2-20 | HYNIX |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
HY62VF08401C | HYNIX |
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256Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62VF08401C-DS | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62VF08401C-DS55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP-32 | |
HY62VF08401C-DSI | HYNIX |
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256Kx16bit full CMOS SRAM |