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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP28,.5 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | 长度： | 18.39 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.1496 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8.69 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62VT08081E-DG70I | ETC |
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x8 SRAM |
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| HY62VT08081E-DG85C | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62VT08081E-DG85E | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 |
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| HY62VT08081E-DG85I | ETC |
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x8 SRAM |
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| HY62VT08081E-DGC | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62VT08081E-DGE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62VT08081E-DGI | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62VT08081E-DP10C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| HY62VT08081E-DP10E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| HY62VT08081E-DP10I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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