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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1-R, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY62V8200LR1-I-10 | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| HY62V8200LR1-I-85 | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| HY62V8200LSR-70I | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| HY62V8200LSR-85 | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, STSOP1-32 |
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| HY62V8200LSR-85I | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| HY62V8200LST-10I | HYNIX | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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