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HY62QF16201ALLF-70I

更新时间: 2024-11-13 14:33:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48

HY62QF16201ALLF-70I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:8 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM宽度:7 mm
Base Number Matches:1

HY62QF16201ALLF-70I 数据手册

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