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Datasheet > HY62QF16401ASLM-10I
HY62QF16401ASLM-10I PDF预览

HY62QF16401ASLM-10I

更新时间： 2024-11-13 14:42:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 153K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62QF16401ASLM-10I 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.95 mm最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM宽度：7.2 mm
Base Number Matches：1

HY62QF16401ASLM-10I 数据手册

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HY62QF16401A Series  
256Kx16bit full CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62QF16401A is a high speed, super low  
power and 4Mbit full CMOS SRAM organized as  
256K words by 16bits. The HY62QF16401A uses  
high performance full CMOS process technology  
and is designed for high speed and low power  
circuit technology. It is particularly well-suited for  
the high density low power system application.  
This device has a data retention mode that  
guarantees data to remain valid at a minimum  
power supply voltage of 1.2V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup  
-. 1.2V(min) data retention  
Standard pin configuration  
-. 48-ball uBGA  
·
Product No.  
Voltage  
(V)  
Speed (ns)  
Operation  
Current/Icc(mA)  
Standby  
Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
12  
12  
SL  
4
4
HY62QF16401A  
HY62QF16401A-I 2.3~2.7  
2.3~2.7  
70/85/100  
70/85/100  
3
3
0~70  
-40~85(I)  
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
1
2
3
4
5
6
ROW  
DECODER  
CS2  
IO1  
/LB /OE A0  
A1  
A4  
A6  
A2  
A
1
I/O1  
I/O8  
I/O9  
I/O16  
A0  
/UB  
/CS1  
IO9  
A3  
A5  
B
C
D
E
F
IO10 IO11  
IO2 IO3  
IO4 Vcc  
Vss IO12 A17 A7  
MEMORY ARRAY  
256K x 16  
Vcc IO13 NC A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
A17  
G
H
NC A8  
A9  
A10 A11 NC  
/CS1  
CS2  
/OE  
/LB  
uBGA  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS1, CS2 Chip Select  
/WE  
/OE  
/LB  
Pin Function  
Pin Name  
I/O1~I/O16  
A0~A17  
Vcc  
Pin Function  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
Power(2.3~2.7)  
Ground  
Write Enable  
Output Enable  
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.07 / Jun.00  
Hyundai Semiconductor  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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