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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA54,9X9,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B54 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 10.5 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 8MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.07 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY5W2B6DLF-HE | HYNIX | 4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY5W2B6DLFP-HE | HYNIX | 4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY5W6B6DLF-HE | HYNIX | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY5W6B6DLF-PE | HYNIX | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY5W6B6DLFP-HE | HYNIX | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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| HY5W6B6DLFP-PE | HYNIX | 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM |
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