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HY5V66FFP-6

更新时间： 2024-01-31 05:34:27

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	149K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V66FFP-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.28	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V66FFP-6 数据手册

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66F(L)FP-xx Series

DC CHARACTERISTICS II (TA= 0 C to 70 C / -40 C to 85 C)

Speed

Sym-

bol

Parameter

Test Condition

Unit Note

Burst length=1, One bank active

tRC ≥ tRC(min), IOL=0mA

Operating Current

IDD1

IDD2P

120 110 100 100 mA

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

Precharge Standby

Current in Power Down Mode

IDD2PS CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK

= 15ns

IDD2N

Input signals are changed one time

during 2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

Precharge Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD2NS

IDD3P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

Active Standby Current

in Power Down Mode

IDD3PS CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK

= 15ns

IDD3N

Input signals are changed one time

during 2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

Active Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD3NS

Burst Mode Operating

Current

tCK ≥ tCK(min), IOL=0mA

All banks active

IDD4

IDD5

120 110 100 100 mA

170 160 150 150 mA

Auto Refresh Current

tRC ≥ tRC(min), All banks active

Normal

Self Refresh Current

IDD6

CKE ≤ 0.2V

Low

power

400

Note:

1. IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open

2. Min. of tRRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II

3. HY5V66FFP Series: Normal Power / HY5V66FLFP Series: Low Power

Rev. 1.0 / Apr. 2007

1...6 7 8910 11 12 13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66FFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-7I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-HI	HYNIX	暂无描述	获取价格
HY5V66FLFP-5	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEA	获取价格
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