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HY5V66FFP-6

更新时间： 2024-01-31 17:44:02

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	149K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V66FFP-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.28	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V66FFP-6 数据手册

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66F(L)FP-xx Series

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0 ~ 70

(Commercial part)

^oC

Ambient Temperature

-40 ~ 85

(Industrial part)

^oC

Storage Temperature

TSTG

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

Voltage on Any Pin relative to VSS

Voltage on VDD supply relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

IOS

Soldering Temperature ^.Time

260 ^.10

^oC ^.Sec

TSOLDER

DC OPERATING CONDITION (TA= 0 C to 70 C / -40 C to 85 C)

Parameter

Power Supply Voltage

Input High Voltage

Input Low Voltage

Symbol

VDD, VDDQ

VIH

Min

3.0

Typ

3.3

3.0

Max

3.6

Unit

Note

2.0

VDDQ+0.3

0.8

1, 2

1, 3

VIL

-0.3

Note: 1. All voltages are referenced to VSS = 0V

2. VIH (max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.

3. VIL (min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.

AC OPERATING TEST CONDITION (TA= 0 C to 70 C / -40 C to 85 C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

VIH / VIL

Vtrip

Value

2.4 / 0.4

1.4

Unit

Note

AC Input High / Low Level Voltage

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

1.4

Note 1.

Vtt=1.4V

RT=500 Ω

RT=50 Ω

Z0 = 50Ω

Output

30pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

Rev. 1.0 / Apr. 2007

1...4 5 678 9 10...13

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与HY5V66FFP-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66FFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-7I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-HI	HYNIX	暂无描述	获取价格
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