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HY5V28CLF-K

更新时间： 2024-01-22 21:27:44

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14页	117K
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x8 SDRAM

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HY5V28CLF-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	10.5 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.07 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.3 mm
Base Number Matches：	1

HY5V28CLF-K 数据手册

HY5V28C(L)F

IBIS SPECIFICATION

IOH Characteristics (Pull-up)

66MHz and 100MHz Pull-up

100MHz

Min

100MHz

Max

66MHz

Min

0.5

1.5

2.5

3.5

Voltage

-100

-200

-300

-400

-500

-600

(V)

3.45

3.3

3.0

2.6

2.4

2.0

1.8

1.65

1.5

1.4

1.0

0.0

I (mA)

-2.4

I (mA)

-27.3

0.0

-74.1

-0.7

-7.5

-21.1

-34.1

-58.7

-67.3

-73.0

-77.9

-80.8

-88.6

-93.0

-129.2

-153.3

-197.0

-226.2

-248.0

-269.7

-284.3

-344.5

-502.4

-13.3

-27.5

-35.5

-41.1

-47.9

-52.4

-72.5

-93.0

Voltage (V)

Ioh Min (100MHz)

Ioh Min (66MHz)

Ioh Min (66 and 100MHz)

IOL Characteristics (Pull-down)

66MHz and 100MHz Pull-down

250

100MHz

Min

100MHz

Max

66MHz

Min

Voltage

(V)

0.0

I (mA)

0.0

I (mA)

0.0

I (mA)

0.0

200

150

100

0.4

27.5

41.8

51.6

58.0

70.7

72.9

75.4

77.0

77.6

80.3

81.4

70.2

17.7

26.9

33.3

37.6

46.6

48.0

49.5

50.7

51.5

54.2

54.9

0.65

0.85

1.0

107.5

133.8

151.2

187.7

194.4

202.5

208.6

212.0

219.6

222.6

1.4

1.5

1.65

1.8

0.5

1.5

2.5

3.5

Voltage (V)

1.95

3.0

I (mA) 100 min

I (mA) 66 min

I (mA) 100 max

3.45

Rev. 0.1/Sep.01

1...7 8 91011 12 13 14

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与HY5V28CLF-K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V28CLF-P	ETC	x8 SDRAM	获取价格
HY5V28CLF-S	ETC	x8 SDRAM	获取价格
HY5V52AF-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格
HY5V52AF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格
HY5V52AFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V52AFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	获取价格