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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA90,9X15,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX32 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.22 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY5V52ALFP-6 | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE |
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| HY5V52ALFP-H | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 |
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| HY5V52ALFP-HI | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 |
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| HY5V52CF | ETC | 8Mx32|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
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| HY5V52CF-P | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90 |
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| HY5V52CF-S | HYNIX | Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90 |
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