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HY5V52ELM-6I

更新时间： 2024-01-25 05:08:33

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	172K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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技术参数
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HY5V52ELM-6I 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32	针数：	90
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.87
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e0
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V52ELM-6I 数据手册

256Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x32 I/O

Document Title

4Bank x 2M x 32bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision

No.

History

Draft Date

Jul. 2004

Remark

Preliminary

Final

0.1

Initial Draft

1. Corrected Column Address (CA7 --> CA8)

2. Inserted CL=2 time spec. (Page11 & Page12)

3. Release : Final version

1.0

Nov. 2005

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 / Nov. 2005

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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