HY5V52FP-S

更新时间： 2024-02-07 17:01:47

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	332K
描述
4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM

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HY5V52FP-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.4 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	11 mm

Preliminary

HY5V52(L)F(P) Series

4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 2M x 32bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Jun. 2004

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / June. 2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V52F-S	HYNIX	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5V52LF-H	HYNIX	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5V52LF-P	HYNIX	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5V52LFP-8	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V52LFP-H	HYNIX	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5V52LFP-P	HYNIX	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM	获取价格