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HY5V26ELF-7I PDF预览

HY5V26ELF-7I

更新时间： 2024-01-19 04:35:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 511K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5V26ELF-7I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：143 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：S-PBGA-B54
JESD-609代码：e0长度：8 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA54,9X9,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HY5V26ELF-7I 数据手册

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Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit)  
HY5V26E(L)F(P)-xxI Series  
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)  
5
6
7
H
Sym-  
bol  
Parameter  
Unit Note  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
CL = 3  
CL = 2  
tCK3  
5.0  
10  
6.0  
10  
2.0  
2.0  
-
7.0  
10  
2.0  
2.0  
-
7.5  
10  
2.5  
2.5  
-
ns  
ns  
System Clock Cycle Time  
1000  
1000  
1000  
1000  
tCK2  
tCHW  
tCLW  
tAC3  
tAC2  
tOH  
Clock High Pulse Width  
Clock Low Pulse Width  
1.75  
1.75  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
1
-
-
-
-
CL = 3  
CL = 2  
4.5  
5.4  
5.4  
5.4  
Access Time From Clock  
2
-
6.0  
-
6.0  
-
6.0  
-
6.0  
Data-out Hold Time  
Data-Input Setup Time  
Data-Input Hold Time  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
CKE Setup Time  
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.0  
-
-
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.0  
-
-
2.5  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
-
-
2.7  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
-
-
tDS  
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
tDH  
-
-
-
-
tAS  
-
-
-
-
tAH  
-
-
-
-
-
-
-
-
tCKS  
tCKH  
tCS  
CKE Hold Time  
-
-
-
-
Command Setup Time  
Command Hold Time  
-
-
-
-
tCH  
-
-
-
-
CLK to Data Output in Low-Z Time  
tOLZ  
tOHZ3  
tOHZ2  
-
-
-
-
CL = 3  
4.5  
6.0  
5.4  
6.0  
5.4  
6.0  
5.4  
6.0  
CLK to Data Output  
in High-Z Time  
CL = 2  
-
-
-
-
Note: 1. Assume tR / tF (input rise and fall time) is 1ns. If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to the parameter.  
2. Access time to be measured with input signals of 1V/ns edge rate, from 0.8V to 0.2V. If tR > 1ns,  
then (tR/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
Rev. 1.1 / Apr. 2005  
9
1...6789101112

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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