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HY5DU561622FLTP-HI

更新时间： 2024-11-30 05:37:03

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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256Mb DDR SDRAM

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HY5DU561622FLTP-HI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.225 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY5DU561622FLTP-HI 数据手册

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HY5DU56822F(L)TP-xxI

HY5DU561622F(L)TP-xxI

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Rev. 1.0 /Nov. 2007

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