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HY5DU561622FTP-5

更新时间: 2024-11-30 05:38:07
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
28页 180K
描述
256M(16Mx16) DDR SDRAM

HY5DU561622FTP-5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.79访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.15 mmBase Number Matches:1

HY5DU561622FTP-5 数据手册

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HY5DU561622FTP-5 / HY5DU561622FTP-4  
256M(16Mx16) DDR SDRAM  
HY5DU561622F(L)TP-5  
HY5DU561622F(L)TP-4  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.1 / Mar. 2008  
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