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HY5DU561622FTP-HI

更新时间： 2024-11-30 05:38:07

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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28页	655K
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256Mb DDR SDRAM

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HY5DU561622FTP-HI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e6
长度：	22.225 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.21 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY5DU561622FTP-HI 数据手册

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256Mb DDR SDRAM

HY5DU56822F(L)TP-xxI

HY5DU561622F(L)TP-xxI

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Rev. 1.0 /Nov. 2007

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HY5DU561622LT-L	ETC	获取价格	SDRAM\|DDR\|4X4MX16\|CMOS\|TSSOP\|66PIN\|PLASTIC