5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, BGA60,9X12,40/32 | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13.5 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.17 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5DU56422ALF-M | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| HY5DU56422ALT | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422ALT-H | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422ALT-J | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422ALT-K | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422ALT-L | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422ALT-M | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422AT | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422AT-H | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
| HY5DU56422AT-J | HYNIX |
获取价格 |
256M-S DDR SDRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
