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HY5DU121622ALT-M

更新时间: 2024-11-07 19:09:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 222K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU121622ALT-M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.88访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.225 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU121622ALT-M 数据手册

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HY5DU12422A(L)T  
HY5DU12822A(L)T  
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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume  
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.4/Feb. 2003  
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