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HY5DU121622AT-M

更新时间： 2024-11-07 19:09:23

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	222K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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HY5DU121622AT-M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.88	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.225 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY5DU121622AT-M 数据手册

HY5DU12422A(L)T

HY5DU12822A(L)T

HY5DU121622A(L)T

512Mb DDR SDRAM

HY5DU12422A(L)T

HY5DU12822A(L)T

HY5DU121622A(L)T

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.4/Feb. 2003

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HY5DU121622ATP-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
HY5DU121622ATP-M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
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