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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSSOP66,.46 | 针数： | 66 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.8 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 22.225 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY5DU121622ATP-J | HYNIX | 暂无描述 |
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| HY5DU121622ATP-K | HYNIX | DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| HY5DU121622ATP-L | HYNIX | DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| HY5DU121622ATP-M | HYNIX | DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| HY5DU121622AT-X | HYNIX | 512Mb DDR SDRAM |
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| HY5DU121622B | HYNIX | 512Mb DDR SDRAM |
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