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HY57V648011LTC-8

更新时间: 2024-12-02 05:51:27
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海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
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1页 64K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, TSOP2

HY57V648011LTC-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
JESD-30 代码:R-PDSO-G内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY57V648011LTC-8 数据手册

  

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