生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | SOP, | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 8MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V648011TC-10 | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 8MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
HY57V648011TC-7 | ETC |
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x8 SDRAM | |
HY57V648011TC-8 | ETC |
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x8 SDRAM | |
HY57V648020 | HYNIX |
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8Mx8 bit Synchronous DRAM Series | |
HY57V648020LTC-10 | HYNIX |
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Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, TSOP2 | |
HY57V648020TC-10 | ETC |
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x8 SDRAM | |
HY57V648020TC-12 | ETC |
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x8 SDRAM | |
HY57V648020TC-15 | ETC |
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x8 SDRAM | |
HY57V648021 | HYNIX |
获取价格 |
8Mx8 bit Synchronous DRAM Series | |
HY57V648021LTC-7 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, TSOP2 |