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HY57V641620HGT-H

更新时间： 2024-11-26 22:23:27

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海力士 - HYNIX		动态存储器
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12页	88K
描述
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

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HY57V641620HGT-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.76
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e6
长度：	22.23 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V641620HGT-H 数据手册

HY57V641620HG

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which

require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576x16.

HY57V641620HG is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchro-

nized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output

voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated

by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of

read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst

read or write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Auto refresh and self refresh

•

Single 3.3±0 . 3 V p o w e r s u p p l y ^{N o t e )}

4096 refresh cycles / 64ms

•

All device pins are compatible with LVTTL interface

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

J E D E C s t a n d a r d 4 0 0 m i l 5 4 p i n T S O P - I I w i t h 0 . 8 m m

of pin pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

P r o g r a m m a b l e C A S Latency ; 2, 3 Clocks

•

D a t a m a s k f u n c t i o n b y U D Q M o r L D Q M

Internal four banks operation

OR D E R IN G INF ORMAT ION

Par t No.

C l ock Fr equency

Po we r

Or gani zat i on

I nt erf ace

Package

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - 5 / 5 5 / 6 / 7

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - K

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - H

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - 8

2 0 0 / 1 8 3 / 1 6 6 / 1 4 3 M H z

1 3 3 M H z

N o r m a l

1 2 5 M H z

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - P

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G T - S

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - 5 / 5 5 / 6 / 7

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - K

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - H

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - 8

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - P

H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G L T - S

1 0 0 M H z

4 B a n k s x 1 M b i t s

x 1 6

L V T T L

400mil 54pin TSOP II

2 0 0 / 1 8 3 / 1 6 6 / 1 4 3 M H z

1 3 3 M H z

L o w p o w e r

1 2 5 M H z

1 0 0 M H z

Not e : VDD( M in) of HY5 7 V6 4 1 6 2 0 HG( L) T- 5 /55/ 6 i s 3. 135V

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of

circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0. 5/ Jun. 01

12 3 4 5 6 7...12

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与HY57V641620HGT-H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V641620HGT-HI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-I	ETC	获取价格	4Mx16\|3.3V\|4K\|5\|SDR SDRAM - 64M
HY57V641620HGT-K	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-KI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-P	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGTP-H	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V641620HGT-PI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGTP-K	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V641620HGT-S	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-SI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

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