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HY57V641620HGLTP-6

更新时间： 2024-09-21 21:08:19

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	221K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54

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HY57V641620HGLTP-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e6	长度：	22.238 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.194 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V641620HGLTP-6 数据手册

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HY57V641620HG(L)TP

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix HY57V641620HG(L)TP is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications

which require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG(L)TP is organized as 4banks of 1,048,576x16.

HY57V641620HG(L)TP is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input

and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated

by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of

read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst

read or write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Auto refresh and self refresh

•

Single 3.3±0.3V power supply ^Note)

4096 refresh cycles / 64ms

All device pins are compatible with LVTTL interface

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of system

clock

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

Package Type: 54Pin TSOPII(Lead Free)

•

Data mask function by UDQM or LDQM

Internal four banks operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY57V641620HGTP-5/55/6/7

HY57V641620HGTP-K

HY57V641620HGTP-H

HY57V641620HGTP-8

HY57V641620HGTP-P

HY57V641620HGTP-S

HY57V641620HGLTP-5/55/6/7

HY57V641620HGLTP-K

HY57V641620HGLTP-H

HY57V641620HGLTP-8

HY57V641620HGLTP-P

HY57V641620HGLTP-S

200/183/166/143MHz

133MHz

Normal

125MHz

100MHz

400mil 54pin TSOP II

(Lead or Lead Free)

4Banks x 1Mbits x16

LVTTL

200/183/166/143MHz

133MHz

Low

power

125MHz

100MHz

Note : VDD(Min) of HY57V641620HG(L)TP-5/55/6 is 3.135V

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any responsibility for use

of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / Mar. 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V641620HGLTP-H	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY57V641620HGLT-PI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLTP-K	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
HY57V641620HGLT-S	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V641620HGLT-SI	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-55I	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-5I	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

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