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HY57V28420HCT-8

更新时间: 2024-02-02 09:37:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 272K
描述
Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V28420HCT-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e6
长度:22.238 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V28420HCT-8 数据手册

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HY57V28420HC(L)T  
0.1 : Hynix Change  
0.2 : Burst Mode Sigle Write Mode Correction  
Rev. 0.2/Aug. 01  
1

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