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HY57V12420T-H

更新时间： 2024-11-01 20:18:51

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	161K
描述
Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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HY57V12420T-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V12420T-H 数据手册

HY57V12420(L)T

4 Banks x 32M x 4Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The HY57V12420 is a 512-Mbit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large mem-

ory density and high bandwidth. HY57V12420 is organized as 4banks of 33,554,432x4.

HY57V12420 is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized

with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output voltage

levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated by

a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of read or

write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst read or

write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Single 3.3±0.3V power supply

•

Auto refresh and self refresh

All device pins are compatible with LVTTL interface

8192 refresh cycles / 64ms

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of system

clock

•

Data mask function by DQM

Internal four banks operation

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY57V12420T-6

HY57V12420T-K

HY57V12420T-H

HY57V12420T-8

HY57V12420T-P

HY57V12420T-S

HY57V12420LT-6

HY57V12420LT-K

HY57V12420LT-H

HY57V12420LT-8

HY57V12420LT-P

HY57V12420LT-S

166MHz

133MHz

125MHz

100MHz

166MHz

133MHz

125MHz

100MHz

Normal

4Banks x 32Mbits x 4

LVTTL

400mil 54pin TSOP II

Low power

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.3/Dec. 01

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V12420T-K	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V12420T-P	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V12420T-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 128MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
HY57V1291620LTC-10	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620LTC-10P	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620LTC-10S	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620LTC-75	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620LTC-8	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620TC-10	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HY57V1291620TC-10P	ETC	获取价格	x16 SDRAM

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