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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.3 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY51V65163HGLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| HY51V65163HGT-45 | HYNIX |
获取价格 |
4M x 16Bit EDO DRAM |
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| HY51V65163HGT-5 | HYNIX |
获取价格 |
4M x 16Bit EDO DRAM |
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| HY51V65163HGT-6 | HYNIX |
获取价格 |
4M x 16Bit EDO DRAM |
|
| HY51V65164ALTC50 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V65164ALTC-50 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| HY51V65164ALTC60 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V65164ALTC-60 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| HY51V65164ASLTC50 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HY51V65164ASLTC-50 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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