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HY51V65164LRC-70

更新时间： 2024-09-23 20:10:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	265K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50

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HY51V65164LRC-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	JESD-609代码：	e6
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65164LTC60	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164LTC70	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164LTC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164RC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50
HY51V65164SLRC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50
HY51V65164SLRC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50
HY51V65164SLTC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164SLTC60	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164SLTC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164SLTC70	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM