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HY51V65164SLRC-50

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	265K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50

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HY51V65164SLRC-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e6	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65164SLRC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50
HY51V65164SLTC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164SLTC60	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164SLTC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164SLTC70	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164SLTC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164TC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164TC60	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V65164TC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65164TC70	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM