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HY51V65173HGJ-45

更新时间： 2024-09-24 05:01:51

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	388K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-50

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HY51V65173HGJ-45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ50(UNSPEC)
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J50
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ50(UNSPEC)	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65173HGJ-45I	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50,
HY51V65173HGJ-5	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-50
HY51V65173HGJ-5I	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50,
HY51V65173HGLJ-6	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-50
HY51V65173HGLT-5	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65173HGLT-5E	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65173HGLT-6	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65173HGLT-6E	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65173HGT-45I	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50,
HY51V65173HGT-5	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50