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HY51V18160HGLJ-6

更新时间： 2024-11-04 14:51:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	371K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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HY51V18160HGLJ-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ42,.44	针数：	42
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.06 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V18160HGT-6	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
HY51V18163HG(HGL)	ETC	获取价格	1Mx16\|3.3V\|1K\|5/6\|FP/EDO DRAM - 16M
HY51V18163HGJ	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGJ-5	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGJ-6	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGJ-7	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT-5	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT-6	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT-7	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM