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HY51V18163HGT-5

更新时间： 2024-11-03 22:14:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	109K
描述
1M x 16Bit EDO DRAM

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HY51V18163HGT-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.19 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY51V18163HGT-5 数据手册

HY51V(S)18163HG/HGL

1M x 16Bit EDO DRAM

PRELIMINARY

DESCRIPTION

The HY51V(S)18163HG/HGL is the new generation dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit.

HY51V(S)18163HG/HGL has realized higher density, higher performance and various functions by utiliz-

ing advanced CMOS process technology. The HY51V(S)18163HG/HGL offers Extended Data Out Page-

Mode as a high speed access mode. Multiplexed address inputs permit the HY51V(S)18163HG/HGL to be

packaged in standard 400mil 42pin SOJ and 44(50) pin TSOP-II. The package size provides high system

bit densities and is compatible with widely available automated testing and insertion equipment.

FEATURES

•

Extended Data Out Mode capability

Read-modify-write capability

Multi-bit parallel test capability

TTL(3.3V) compatible inputs and outputs

/RAS only, CAS-before-/RAS, Hidden and self

refresh(L-version) capability

•

JEDEC standard pinout

42pin plastic SOJ / 44(50)pin TSOP-II (400mil)

Single power supply of 3.3V +/- 0.3V

Battery back up operation(L-version)

2CAS byte control

•

Fast access time and cycle time

Part No

tRAC

tCAC

tRC

tHPC

HY51V(S)18163HG/HGL-5

HY51V(S)18163HG/HGL-6

HY51V(S)18163HG/HGL-7

50ns

60ns

70ns

13ns

15ns

18ns

84ns

104ns

124ns

20ns

25ns

30ns

•

Power dissipation

•

Refresh cycle

Part No

50ns

60ns

70ns

Ref

Normal

L-part

Active

684mW

612mW

540mW

HY51V18163HG

HY51V18163HGL

16ms

7.2mW(CMOS level Max)

0.83mW (L-version : Max)

128ms

Standby

ORDERING INFORMATION

Part Number

Access Time

Package

HY51V(S)18163HGJ/HG(L)J-5

HY51V(S)18163HGJ/HG(L)J-6

HY51V(S)18163HGJ/HG(L)J-7

50ns

60ns

70ns

400mil 42pin SOJ

HY51V(S)18163HGT/HG(L)T-5

HY51V(S)18163HGT/HG(L)T-6

HY51V(S)18163HGT/HG(L)T-7

50ns

60ns

70ns

400mil 44(50)pin TSOP-II

(S) : Self refresh,

(L) : Low power

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.0.1/Apr.01

12 3 4 5 6 7...12

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与HY51V18163HGT-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V18163HGT-6	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT-7	HYNIX	获取价格	1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18164BJC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
HY51V18164BJC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
HY51V18164BJC-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
HY51V18164BLTC-80	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, 0.400 INCH, TSOP2
HY51V18164BRC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44
HY51V18164BRC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44
HY51V18164BRC-80	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
HY51V18164BSLJC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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