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HY27SF161G2M-SPCB

更新时间： 2024-11-06 19:04:35

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	424K
描述
Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48

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HY27SF161G2M-SPCB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	VSSOP, TSSOP48,.71,20	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	15.4 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	48	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	1K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	0.65 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY27SF161G2M-SPCB 数据手册

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HY27UF(08/16)1G2M Series

HY27SF(08/16)1G2M Series

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash

Document Title

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

Revision History

Revision

History

No.

Draft Date Remark

0.0

1) Initial Draft.

Aug. 2004

Preliminary

1) Correct Fig.10 Sequential out cycle after read

2) Add the text to Fig.1, Table.1, Table.2

- text : IO15 - IO8 (x16 only)

3) Delete ‘3.2 Page program NOTE 1.

- Note : if possible it is better to remove this constrain

4) Change the text ( page 10,13, 45)

0.1

Sep. 2004

Preliminary

- 2.2 Address Input : 28 Addresses -> 27 Addresses

- 3.7 Reset : Fig.29 -> Fig.30

- 5.1 Automatic page read after power up : Fig.30 -> Fig.29

5) Add 5.3 Addressing for program operation & Fig.34

1) Change TSOP, WSOP, FBGA package dimension & figures.

- Change TSOP, WSOP, FBGA package mechanical data

- Change FBGA thickness (1.2 -> 1.0 mm)

2) Correct TSOP, WSOP Pin configurations.

- 38th NC pin has been changed Lockpre(figure 3,4)

3) Edit figure 15,19 & table 4

0.2

Oct. 2004

Preliminary

4) Add Bad Block Management

5) Change Device Identifier 3rd Byte

- 3rd Byte ID is changed. (reserved -> don't care)

- 3rd Byte ID table is deleted.

1) Add Errata

tCLS tCLH tWP tALS tALH tDS

tWC

Specification

Relaxed value

2) LOCKPRE is changed to PRE.

- Texts, Table, Figures are changed.

3) Add Note.4 (table.14)

0.3

Nov.29 2004 Preliminary

4) Block Lock Mechanism is deleted.

- Texts, Table, figures are deleted.

5) Add Application Note(Power-On/Off Sequence & Auto Sleep mode.)

- Texts & Figures are added.

6) Edit the figures. (#10~25)

1) Change AC characteristics(tREH)

before: 20ns -> after: 30ns

0.4

2) Edit Note.1 (page. 21)

Jan.19 2005 Preliminary

3) Edit the Application note 1,2

4) Edit The Address cycle map (x8, x16)

Rev 1.1 / Nov. 2005

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HY27SF161G2M-SPEP	HYNIX	获取价格	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48
HY27SF161G2M-SPES	HYNIX	获取价格	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48
HY27SF161G2M-SPIB	HYNIX	获取价格	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48
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