是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1K |
端子数量: | 48 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 64MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小: | 1K words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 切换位: | NO |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY27SF161G2M-TPIB | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-TPIP | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-TPIS | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-TPMB | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-TPMP | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-TPMS | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-VCB | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-VCP | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-VCS | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | |
HY27SF161G2M-VEB | HYNIX |
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1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |