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HXSR01608-QN

更新时间： 2024-09-23 18:34:35

品牌	Logo	应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	258K
描述
Standard SRAM, 2MX8, CMOS, CUUC3, CERAMIC, DIE-3

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HXSR01608-QN 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.75
其他特性：	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6V SUPPLY	JESD-30 代码：	R-CUUC-N3
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	3	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

HXSR01608-QN 数据手册

HXSR01608

2M x 8 STATIC RAM

The monolithic, radiation hardened 16M bit Static

Random Access Memory (SRAM) in a 2M x 8

configuration is a high performance 2,097,152 word x 8

bit SRAM fabricated with Honeywell’s 150nm silicon-

on-insulator CMOS (S150) technology. It is designed

for use in low voltage systems operating in radiation

sensitive environments. The RAM operates over the full

military temperature range and requires a core supply

voltage of 1.8V +/- 0.15V and an I/O supply voltage of

3.3V ± 0.3V or 2.5V ± 0.2V.

proprietary design, layout and process hardening

techniques. There is no internal EDAC implemented.

It is a low power process with a minimum drawn feature

size of 150 nm. Less than 150mW typical power at

40MHz operation. The SRAM is fully asynchronous

with a typical access time of 13 ns at 3.3V. A seven

transistor (7T) memory cell is used for superior single

event upset hardening, while four layer metal power

busing and the low collection volume SOI substrate

provide improved dose rate hardening.

Honeywell’s state-of-the-art S150 technology is

radiation hardened through the use of advanced and

FEATURES

· Fabricated on S150 Silicon On

Insulator (SOI) CMOS

· Total Dose =1X10⁶rad(Si)

· Soft Error Rate

· Core Power Supply

1.8 V ± 0.15 V

Heavy Ion =1x10^-12Upsets/bit-day

Proton = 2x10^-12Upsets/bit-day

· 150 nm Process (Leff = 110 nm)

· I/O Power Supply

3.3 V ± 0.3 V

· Read Cycle Times

Typical =13 ns

2.5 V ± 0.2 V

· Neutron =1x10¹⁴cm^-2

Worst case = 20 ns

· CMOS Compatible I/O

· Dose Rate Upset

=1x10¹⁰rad(Si)/s

· Write Cycle Times

Typical = 9 ns

· Operating Range is

-55°C to +125°C

· Dose Rate Survivability

Worst case = 12 ns

=1x10¹²rad(Si)/s

· 40-Lead Flat Pack Package

· Asynchronous Operation

· No Latchup

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HXSR01608-VH	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 2MX8, CMOS, CUUC3, CERAMIC, DIE-3
HXSR01608-VN	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 2MX8, CMOS, CUUC3, CERAMIC, DIE-3
HXSR01608-YN	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 2MX8, CMOS, CUUC3, CERAMIC, DIE-3
HXSR01608-ZN	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 2MX8, CMOS, CUUC3, CERAMIC, DIE-3
HXSR01632DQN	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 22ns, CMOS, CDFP86, DFP-86
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