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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 93 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75321S3S_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| HUF75321S3ST | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
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| HUF75329D3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75329D3 | INTERSIL |
获取价格 |
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75329D3S | FAIRCHILD |
获取价格 |
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75329D3S | INTERSIL |
获取价格 |
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75329D3S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| HUF75329D3ST | ONSEMI |
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N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，20A，26mΩ |
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| HUF75329D3ST_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| HUF75329G3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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