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HUF75329D3S

更新时间： 2024-01-27 17:19:50
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
9页 131K
描述
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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HUF75329D3S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.11
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75329D3S 数据手册

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HUF75329D3, HUF75329D3S  
Data Sheet  
June 1999  
File Number 4426.4  
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET  
Power MOSFETs  
Features  
• 20A, 55V  
These N-Channel power MOSFETs  
are manufactured using the  
innovative UltraFET™ process.  
• Simulation Models  
®
©
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Models  
This advanced process technology  
- SPICE and SABER Thermal Impedance Models  
Available on the WEB at:  
www.semi.Intersil.com/families/models.htm  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance. This device is capable  
of withstanding high energy in the avalanche mode and the  
diode exhibits very low reverse recovery time and stored  
charge. It was designed for use in applications where power  
efficiency is important, such as switching regulators,  
switching converters, motor drivers, relay drivers, low-  
voltage bus switches, and power management in portable  
and battery-operated products.  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
Formerly developmental type TA75329.  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
75329D  
75329D  
HUF75329D3  
G
HUF75329D3S  
S
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the TO-252AA variant in tape and reel, e.g., HUF75329D3ST.  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
UltraFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
SABER is a Copyright of Analogy, Inc. http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
76  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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