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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> HSMS-8202-BLKG
HSMS-8202-BLKG PDF预览

HSMS-8202-BLKG

更新时间： 2024-11-04 12:05:11
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 236K
描述
Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes

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HSMS-8202-BLKG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：7.45配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：0.26 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：KU BAND
最大阻抗：150 ΩJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最大工作频率：14 GHz最小工作频率：10 GHz
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：Microwave Mixer Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HSMS-8202-BLKG 数据手册

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HSMS-8101, 8202, 8207, 8209  
Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes  
Data Sheet  
Description/Applications  
Features  
• Optimized for use at 10‑14 GHz  
• Low Capacitance  
These low cost microwave Schottky diodes are specifically  
designed for use at X/Ku‑bands and are ideal for DBS and  
VSAT downconverter applications. They are available in  
SOT‑23 and SOT‑143 standard package configurations.  
• Low Conversion Loss  
• Low RD  
Note that Avago's manufacturing techniques assure that  
dice found in pairs and quads are taken from adjacent  
sites on the wafer, assuring the highest degree of  
match.  
• Low Cost Surface Mount Plastic Package  
• Lead‑free  
Plastic SOT-23 Package  
Package Lead Code Identification  
(Top View)  
SINGLE  
3
SERIES  
3
1
2
1
2
#1  
#2  
Plastic SOT-143 Package  
RING  
QUAD  
CROSS-OVER  
QUAD  
3
4
3
4
1
2
1
2
#7  
#9  
Absolute Maximum Ratings[1], TA = +25°C  
Symbol Parameter  
Unit Min. Max.  
Attention: Observe precautions for  
handling electrostatic sensitive devices.  
ESD Machine Model (Class A)  
ESD Human Body Model (Class 0)  
Refer to Avago Application Note A004R:  
Electrostatic Discharge Damage and Control.  
PT  
PIV  
TJ  
Total Device Dissipation[2] mW  
—
—
—
‑65  
75  
Peak Inverse Voltage  
Junction Temperature  
V
4
°C  
°C  
+150  
+150  
TSTG, Top Storage and Operating  
Temperature  
Notes:  
1. Operation in excess of any one of these conditions may result in  
permanent damage to the device.  
2. Measured in an infinite heat sink at TCASE = 25°C. Derate linearly to  
zero at 150°C per diode.  
123456

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