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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.78 V | JEDEC-95代码： | DO-214AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 500 µA | 反向测试电压： | 100 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM8100JE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, |
|
| HSM825 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM825G | ETC |
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Schottky Rectifier |
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| HSM825G/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB |
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| HSM825GE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB |
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| HSM825J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| HSM83 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
|
| HSM83 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
|
| HSM830 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
|
| HSM830G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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