HSM276STR

更新时间： 2024-09-14 13:08:23

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HSM276STR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.73
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.9 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	100 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HSM276AS

Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer

REJ03G0608-0100

(Previous: ADE-208-839)

Rev.1.00

Apr 26, 2005

Features

•

High forward current, Low capacitance.

HSM276AS which is interconnected in series configuration is designed for balanced mixer use.

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Package Code

(Previous Code)

Type No.

Laser Mark

Package Name

HSM276AS

S19

MPAK

PLSP0003ZC-A

(MPAK)

Pin Arrangement

1. Cathode 2

2. Anode 1

3. Cathode 1

Anode 2

(Top View)

Rev.1.00 Apr 26, 2005 page 1 of 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSM276STR-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM27PT	CHENMKO	获取价格	HIGH EFFICIENCY SILICON RECTIFIER
HSM2836C	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM2836CTL	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM2836CTL-E	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM2836CTR	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM2836CTR-E	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM2838C	HITACHI	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM2838C	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
HSM2838C-E	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, MPAK-3