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HSD16M32F4V-13

更新时间： 2024-11-12 03:42:51
品牌 Logo 应用领域
HANBIT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 103K
描述
Synchronous DRAM Module 64Mbyte ( 16M x 32-Bit ) SMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V

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HSD16M32F4V-13 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Base Number Matches：1

HSD16M32F4V-13 数据手册

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HANBit  
HSD16M32F4V/VA  
Synchronous DRAM Module 64Mbyte ( 16M x 32-Bit ) SMM based on  
16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V  
Part No. HSD16M32F4V/VA  
GENERAL DESCRIPTION  
The HSD16M32F4V/VA is a 16M x 32 bit Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The module  
consists of four CMOS 16M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II packages is mounted on a 120-pin,  
single-sided, FR-4-printed circuit board., Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in  
parallel for each SDRAM. The HSD16M32F4V/VA is a SMM (Stackable Memory Module) designed and is intended for  
mounting into two 60-pin connector sockets. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system  
clock. I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies allows  
the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications All module  
components may be powered from a single 3.3V DC power supply and all inputs and outputs are LVTTL-compatible.  
PIN ASSIGNMENT  
FEATURES  
• Part Identification  
60-PIN P1 Connector  
60-PIN P2 Connector  
PIN Symbol PIN Symbol PIN  
Symbol  
PIN Symbol  
HSD16M32F4V :  
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Vcc  
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DQ44  
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DQ46  
DQ47  
Vcc  
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NC  
NC  
/CE2  
NC  
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Vss  
DQM0  
DQM1  
/WE  
CLK0  
CLK1  
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/CAS  
/RAS  
/CE0  
NC  
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DQ31  
Vss  
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DQM3  
NC  
BA0  
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A10/AP  
A0  
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DQ54  
DQ55  
Vcc  
DQ56  
DQ57  
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DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
Vcc  
DQM6  
DQM7  
NC  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
Height from bottom to top 11.3mm  
HSD16M32F4VA :  
Height from bottom to top 7.3mm  
• Burst mode operation  
• Auto & self refresh capability (4096 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ±0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
- Latency (Access from column address)  
- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
- Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge  
of the system clock  
9
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• 120pin SMM type FR4-PCB design  
• The used device is 4Mx8bit x4Banks SDRAM  
• Pin assignment is compatible with  
- HSD16M64F8V/VA  
- HSD32M64F8V/VA  
- HSD8M64F8V/VA  
28  
29  
30  
A4  
Vcc  
Vss  
Vss  
Stackable Memory Module TOP VIEW  
URL: www.hbe.co.kr  
1
HANBit Electronics Co.,Ltd  
REV 1.0 (August.2002).  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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