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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSD1606-385V | ETC |
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Synchro-to-Digital Converter |
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| HSD1606-389H | ETC |
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Synchro-to-Digital Converter |
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| HSD1606-389S | ETC |
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Synchro-to-Digital Converter |
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| HSD1606-389V | ETC |
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Synchro-to-Digital Converter |
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| HSD1609 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HSD1609S | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HSD1616A | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HSD16M32D4 | HANBIT |
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Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V |
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| HSD16M32D4-10 | HANBIT |
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Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V |
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| HSD16M32D4-10L | HANBIT |
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Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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