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HSB507

更新时间： 2024-01-11 04:03:19

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3页	37K
描述
PNP-60V-3A30W\|Bipolar Transistors

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HSB507 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	160	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSB507 数据手册

Spec. No. : HE6702-B

Issued Date : 1993.04.12

Revised Date : 2000.09.30

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB507

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HSB507 is designed for use in power amplifier and switching

circuits.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 30 W

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ...................................................................................... 2 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage..................................................................................... -60 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage.................................................................................. -60 V

BVEBO Emitter to Base Voltage.......................................................................................... -5 V

IC Collector Current............................................................................................................. -3 A

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=-1mA, IE=0

IC=-10mA, IB=0

IE=-1mA, IC=0

VCB=-20V, IE=0

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

ICEO

*VCE(sat)

*VBE(on)

*hFE1

*hFE2

-60

-5

-100

-1

-5

-1

-1.5

VEB=-4V, IC=0

VCE=-60V, IB=0

IC=-2A, IB=-0.2A

IC=-1A, VCE=-2V

IC=-0.1A, VCE=-2V

IC=-1A, VCE=-2V

VCE=-5V, IC=-500mA, f=100MHz

320

MHz

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE2

Rank

hFE

40-80

60-120

100-200

160-320

HSMC Product Specification

12 3

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