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HSB647A

更新时间： 2024-02-15 09:53:36

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4页	51K
描述
SILICON PNP EPITAXIAL

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HSB647A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSB647A 数据手册

Spec. No. : HA200201

Issued Date : 2002.01.01

Revised Date : 2005.02.14

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB647A

SILICON PNP EPITAXIAL

Description

Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair With HSD667A.

TO-92

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ..................................................................................................................... 150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (T_A=25°C) ............................................................................................................... 900 mW

• Maximum Voltages and Currents (T_A=25°C)

V_CBOCollector to Base Voltage ........................................................................................................................ -120 V

V_CEOCollector to Emitter Voltage..................................................................................................................... -100 V

V_EBOEmitter to Base Voltage ............................................................................................................................... -5 V

I_CCollector Current (DC) ..................................................................................................................................... -1 A

_CPCollector Current (Peak)................................................................................................................................. -2 A

Electrical Characteristics (T_A=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Min. Typ. Max. Unit

Test Conditions

I_C=-100uA, I_E=0

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

-120

-100

I_C=-1mA, R_BE=∞

-5

I_E=-10uA, I_C=0

-10

-1

-1.5

200

uA V_CB=-100V, I_E=0

*V_CE(sat)

V_BE(on)

*h_FE1

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Voltage

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CE=-5V, I_C=-150mA

V_CE=-5V, I_C=-500mA

DC Current Transfer Ratio 1

DC Current Transfer Ratio 2

Gain Bandwidth Product

*h_FE2

f_T

140

MHz V_CE=-5V, I_C=-150mA

pF V_CB=-10V, f=1MHz, I_E=0

Cob

Collector Output Capacitance

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification of hFE1

Rank

Range

60-120

100-200

HSB647A

HSMC Product Specification

12 3 4

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