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HSB649A

更新时间： 2024-02-29 21:04:13

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HSMC		晶体晶体管局域网
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3页	35K
描述
SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HSB649A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSB649A 数据手册

Spec. No. : HE6629

Issued Date : 1995.12.18

Revised Date : 2002.04.03

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB649A

SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.

TO-126ML

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation ........................................................................................................ 1 W

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ..................................................................................... 20 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... -180 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. -160 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... -5 V

IC Collector Current (DC) .................................................................................................. -1.5 A

IC Collector Current (Pulse) ................................................................................................ -3 A

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=-1mA, IE=0

IC=-10mA, IB=0

IE=-1mA, IC=0

VCB=-160V, IE=0

IC=-500mA, IB=-50mA

IC=-150mA, VCE=-5V

IC=-500mA, VCE=-5V

IC=-150mA ,VCE=-5V

VCB=-10V, f=1MHz, IE=0

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

*VCE(sat)

*VBE(on)

*hFE1

*hFE2

-180

-160

-5

-10

-1

-1.5

200

140

MHz

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE1

Rank

Range

60-120

100-200

HSB649A

HSMC Product Specification

12 3

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HSB-660S-A10	AAEON	获取价格	Supports Socket 370-based IntelÂ® PentiumÂ® I
HSB-660S-A10-01	AAEON	获取价格	Supports Socket 370-based IntelÂ® PentiumÂ® I
HSB66B	JLWORLD	获取价格	Specification for other impedance is available upon request

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