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HSB226YP

更新时间: 2024-02-07 11:26:29
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日立 - HITACHI 肖特基二极管测试光电二极管
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5页 26K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode

HSB226YP 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-82
包装说明:SC-82, CMPAK-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.57
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.33 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:25 V最大反向电流:0.45 µA
反向测试电压:20 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HSB226YP 数据手册

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HSB226YP  
Package Dimensions  
Unit: mm  
2.0 – 0.2  
1.3 – 0.2  
0.65 0.65  
+ 0.1  
0.3 – 0.05  
0.3 – 0.05  
0.3 – 0.05  
0.3 – 0.05  
0.16  
— 0.06  
0 — 0.1  
0.65 0.65  
1.3 – 0.2  
Hitachi Code  
CMPAK-4  
JEDEC  
EIAJ  
Mass  
Conforms  
0.006 g  
4

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