HSB276AYP

更新时间： 2024-01-12 23:28:49

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瑞萨 - RENESAS		肖特基二极管开关测试光电二极管
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5页	148K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching

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HSB276AYP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CMPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.9 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HSB276AYP

Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching

REJ03G0595-0100

(Previous: ADE-208-1051)

Rev.1.00

Apr 06,2005

Features

•

High forward current, Low capacitance.

CMPAK-4 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

•

Ordering Information

Package Code

(Previous Code)

Type No.

Laser Mark

Package Name

HSB276AYP

CMPAK-4

PTSP0004ZB-A

(CMPAK-4)

Pin Arrangement

1. Anode

2. Anode

3. Cathode

4. Cathode

(Top View)

Rev.1.00 Apr 06, 2005 page 1 of 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HSB276S	TYSEMI	CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly	获取价格
HSB276S	RENESAS	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer	获取价格
HSB276S	KEXIN	Silicon Schottky Barrier Diode	获取价格
HSB276S	HITACHI	Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer	获取价格
HSB278S	RENESAS	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector	获取价格
HSB278S	HITACHI	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching	获取价格