HSB276S

更新时间： 2024-02-23 04:36:54

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瑞萨 - RENESAS		肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
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描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer

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HSB276S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CMPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.9 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HSB276S

Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer

REJ03G0133-0100Z

(Previous: ADE-208-780)

Rev.1.00

Nov.10.2003

Features

•

High forward current, Low capacitance.

HSB276S which is interconnected in series configuration is designed for balanced mixer use.

CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSB276S

CMPAK

Pin Arrangement

1. Cathode 2

2. Anode 1

3. Cathode 1

Anode 2

(Top View)

Rev.1.00, Nov.10.2003, page 1 of 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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