HSB276AYP

更新时间： 2024-01-17 21:15:11

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日立 - HITACHI		整流二极管肖特基二极管开关测试光电二极管
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5页	29K
描述
SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING

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HSB276AYP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CMPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.9 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HSB276AYP

Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching

ADE-208-1051 (Z)

Rev.0

Jan. 2001

Features

•

High forward current, Low capacitance.

CMPAK - 4 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSB276AYP

CMPAK- 4

Outline

(Top View)

1. Anode

2. Anode

3. Cathode

4. Cathode

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSB276S	TYSEMI	获取价格	CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly
HSB276S	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer
HSB276S	KEXIN	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode
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