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HRF3205 PDF预览

HRF3205

更新时间： 2024-01-19 19:54:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 189K
描述
100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

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HRF3205 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：175 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HRF3205 数据手册

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HRF3205, HRF3205S  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Othewise Specified  
C
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
55  
55  
V
V
V
DSS  
DGR  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Drain Current  
±20V  
GS  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
100  
390  
A
A
D
Pulsed Drain Current (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
DM  
Pulsed Avalanche Rating. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
Figure 10  
175  
1.17  
AS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
W
D
o
o
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
W/ C  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
NOTE:  
o
o
1. T = 25 C to 150 C.  
J
o
Electrical Specifications  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
BV  
TEST CONDITIONS  
= 0V  
MIN  
TYP  
MAX  
-
UNITS  
V
Drain to Source Breakdown Voltage  
Gate to Source Threshold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
= 250µA, V  
55  
2
-
-
DSS  
GS(TH)  
D
GS  
V
V
V
V
V
= V , I = 250µA  
-
4
V
GS  
DS  
DS  
GS  
DS D  
I
= 55V, V  
= 44V, V  
= ±20V  
= 0V  
-
25  
250  
100  
-
µA  
µA  
nA  
V
DSS  
GS  
o
= 0V, T = 150 C  
-
-
-
GS  
C
Gate to Source Leakage Current  
I
-
GSS  
o
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
∆V  
/
Reference to 25 C, I = 250µA  
-
0.057  
(BR)DSS  
∆T  
D
J
Drain to Source On Resistance  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
r
I
= 59A, V  
= 10V (Figure 4)  
= 28V, I 59A,  
D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.0065  
14  
0.008  
Ω
DS(ON)  
D GS  
t
V
R
R
-
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
pF  
pF  
pF  
nH  
d(ON)  
DD  
= 0.47Ω, V = 10V,  
L
GS  
t
100  
43  
-
r
= 2.5Ω  
GS  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
-
d(OFF)  
t
70  
-
170  
32  
74  
-
f
Total Gate Charge  
Q
V
V
= 44V, I  
= 10V, I  
59A,  
= 3mA  
-
g
DD  
GS  
D
g(REF)  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
Input Capacitance  
Q
Q
-
gs  
(Figure 6)  
-
gd  
C
V
= 25V, V  
= 0V,  
4000  
1300  
480  
7.5  
ISS  
DS GS  
f = 1MHz (Figure 5)  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Internal Source Inductance  
C
C
-
OSS  
-
RSS  
L
Measured From the Contact  
Modified MOSFET  
-
S
Screw on Tab to Center of Die Symbol Showing the  
Internal Devices In-  
ductances  
Measured From the Drain  
Lead, 6mm (0.25in) From  
Package to Center of Die  
D
L
D
Internal Drain Inductance  
L
Measured From the Source  
Lead, 6mm (0.25in)From Head-  
er to Source Bonding Pad  
-
4.5  
-
nH  
D
G
L
S
S
o
Thermal Resistance Junction to Case  
R
R
-
-
-
-
-
-
0.85  
62  
C/W  
θJC  
o
Thermal Resistance Junction to  
Ambient  
TO-220  
C/W  
θJA  
o
TO-263 (PCB Mount, Steady State)  
40  
C/W  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HRF3205, HRF3205S Rev. B  
1234567...9

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HRF3205 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HRF3205 FAIRCHILD

当前型号

 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
IRFZ14PBF VISHAY

功能相似

 Power MOSFET
HRF3205 INTERSIL

功能相似

 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HRF3205_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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HRF3205-F102 FAIRCHILD Transistor

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HRF3205L ROCHESTER 100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA

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